要解决上下喷射的中子流，就要依靠那四台长方形的阳电子发射系统，这四台设备，可以形成两个水平平面的阳电子流层，插入圆筒型阳电子流层中，彻底封锁内部爆发出来的中子流。

至于核聚变反应问题，万高峰团队放弃了托卡马克装置、仿星器，而是采用惯性束缚核聚变方案，即所谓的激光核聚变。

魔都光机所也派遣了上百名研究员过来汤谷基地，辅助开发激光系统。

在万高峰团队的设计方案中，核燃料靶丸从上方掉落，利用底部的超导磁悬浮系统，将靶丸悬浮在阳电子流层中间。

随后启动激光打靶，利用高能激光点燃核聚变，由于中子携带了核聚变反应中70%左右的能量，当中子被转变成为高能质子后，很大一部分会被吸入底部的阳电子流回路中。

确实在反应中，由于汤谷一号的设计中，采用了相对细长的圆柱体阳电子流层，让绝大部分的中子流，撞击在圆柱壁上，减少撞击在底部和顶部。

黄修远指着系统说道：

“高峰，你们还有一个小问题要注意，虽然整体系统处于真空状态，但忽略了另一个问题，那就是一部分高能质子，容易逃逸到真空系统中。”

听到这个问题，万高峰也反应过来：“董事长说得对，我们需要考虑一下这个问题。”

“其他都没有太多问题，接下来就看实际运行，再在运行中发现问题。”

“董事长，言之有理。”

汤谷一号的设计，并不追求核聚变中的氚素自持，因为靶丸中的核聚变原材料是氘素，即DD反应。

虽然DD反应需要的温度高达9亿摄氏度，但是在激光核聚变中，温度和压力的问题不大。

今年刚刚完成神光3系统中，就将激光聚焦温度，提升到亿摄氏度。