第一百七十二章:碳基芯片(1 / 4)

作品:《直播在荒野手搓核聚变

看着虚拟屏幕上的二级任务奖励,韩元的喉结动了动,情不自禁的咽了下口水。

翻身,起立,他飞奔回书房打开电脑,从网上搜索着有关芯片相关的信息。

网页上,一条又一条和芯片有关的信息映入韩元眼中。

十余分钟后,他终于放下了鼠标,身体往后一倒,靠在椅背上。

硅基芯片有另外一个名字,叫做‘硅基光电子集成芯片’。

从命名来看,这个‘碳基集成电路板’几乎可以确认属于集成芯片中的概念。

只是不知道这个集成电路能达到一个什么样的地步?

能不能突破硅基芯片极限?

对于这个,韩元很是期待。

要知道,传统的硅基芯片是有极限的。

这是物理极限,由硅原子和硅晶格的直径决定的,硅原子的直径是纳米,但硅晶格的直径是纳米左右。

当硅基芯片突破1nm之后,量子隧穿效应将使得“电子失控”,芯片就完全失效。

准确的说,传统的硅基芯片在5nm,甚至7nm以下,就已经存在量子隧穿效应了。

但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。

世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。

但无论再怎么更换晶体管的材料,硅基底的物理特性摆在了哪里。